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IGBT 的理想等效电路，是对 pnp 双 极型晶体管和功率 MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型 Bi-MOS 晶体管。 因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率 MOSFET 导通时，pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电 阻，从而使 pnp 晶体管处于导通状态。 此后，使门极—发射极之间的电压为 0V 时，首先功率 MOSFET 处于断路状态，pnp 晶体管的基极电流被切 断，从而处于断路状态。 如上所述，IGBT 和功率 MOSFET 一样，通过电压信号 可以控制开通和关断动作。