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![]() 江苏省南京市贸易Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和1212-8封装。 |
| 公司名称： |
南京华世达科技有限公司 |
公司类型： |
企业单位 (贸易商) |
| 所 在 地： |
北京 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2000 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营模式： |
贸易商 |
| 经营范围： |
贸易 |
| 主营行业： |
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