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江苏省南京市贸易Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和1212-8封装。 [详细介绍]